一种具有纳米尺寸的钨塞小电极相变存储器件制备方法

摘要

本发明公开了一种具有纳米尺寸的钨塞小电极相变存储器件制备方法。选用预加工的填充有钨塞的氧化硅衬底，根据氧化硅与钨塞刻蚀的速率差异，采用聚焦离子束刻蚀的方法得到具有更小的纳米尺寸的钨塞小电极钨塞。采用物理气相沉积方法在钨塞上层依次沉积相变材料和电极材料层，利用聚焦离子束系统在W塞正上方沉积更小尺寸钨硬掩膜，采用反应离子刻蚀方法刻蚀硬掩模周围的的相变材料和电极材料层，再沉积介质层包覆整个器件单元，沉积电极材料最终形成极小体积的相变存储器件。本发明在微纳尺度上精细加工出具有纳米量级直径的W电极和相应的极小尺寸的相变存储器件，可用于构建高密度、低功耗新型相变存储器件。