机译:通过电子成像技术在45 nm技术节点中表征微结构空隙环境,以将电迁移和铜微结构联系起来
STMicroelectronics Crolles, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France,SIMaP- Crenoble-INP/CNRS/UJF-, 1130 rue de la Piscine, BP75, 38402 ST Martin D'Heres Cedex, France;
CEA-Leti, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
CEA-Leti, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
LEMMA, SP2M, UMR-E CEA/UJF-Crenobleh INAC, Minatec, Grenoble F-38054, France;
STMicroelectronics Crolles, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France;
STMicroelectronics Crolles, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France;
SIMaP-Crenoble-INP/CNRS/UJF-,1130 rue de la Piscine, BP75, 38402 ST Martin D'Heres Cedex, France;
Electromigration; Microstructure; EBSD; TEM; Void; Reliability; Copper; Interconnect;
机译:钝化铜互连中电迁移过程中微结构对空隙形成,形状和运动的影响
机译:铜线拓扑对SiOCH Low- $ k $的45-nm技术节点可靠性的影响
机译:推断铜和银导体中电子构型和溶质原子的活化能对电迁移空隙形成的影响
机译:用于45nm技术节点的无铅倒装芯片凸块的电迁移表征
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:从电子健康记录中提取起源国进行基因环境研究作为与环境相关的基因(EAGLE)研究的流行病学体系的一部分
机译:原位扫描电子显微镜观察电迁移引起的30 nm 1/2节距Cu互连结构中的空隙生长