机译:通过一步电子束光刻工艺制备高度规则的悬浮石墨烯纳米带
Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, E-08193 Bellaterra, Barcelona, Spain,NiPS Laboratory, Dipartimento di Fisica, Universita di Perugia, via A. Pascoli, 1,1-06123 Perugia, Italy;
Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, E-08193 Bellaterra, Barcelona, Spain;
Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus de Bellaterra, E-08193 Bellaterra, Barcelona, Spain;
Institut de Ciencia de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC), Campus de Bellaterra, E-08193 Bellaterra, Barcelona, Spain;
Departament d'Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, E-08193 Bellaterra, Barcelona, Spain;
Graphene; NEMS; Nanofabrication; EBL; Nanoribbons;
机译:使用XR-1541 / PMMA剥离工艺的电子束光刻技术制备石墨烯纳米带
机译:用于电子束光刻的高对比度3D接近校正:一种用于制造悬浮掩模的使能技术,用于在超高压环境中完成器件制造
机译:聚焦离子束光刻技术,用于在高波纹表面上制造悬浮的纳米结构
机译:悬浮石墨烯纳米带的制备用于原位透射电子显微镜观察
机译:用于电子束光刻应用的纳米电子器件的制造和表征。
机译:像差校正电子束光刻对悬浮石墨烯器件电子传输的影响的原位研究
机译:使用XR-1541 / PMMA剥离工艺用电子束光谱制造石墨烯纳米孔的制造