机译:沉积时间对增强氢感测应用的AlN / Si薄膜的微观结构和介电性能的影响
Department of Physics, Bishop Heber College, Tiruchirappalli, Tamil Nadu, India;
Department of Physics, Sujatha Degree and PG College for Women, Hyderabad, Andhra Pradesh, India;
Aluminum Nitride; Thin films; Sputtering; Preferential orientations; MIS capacitors; H_2 sensor;
机译:在不同氢气流量下等离子增强化学气相沉积法制备氢化硅薄膜的微观结构与性能之间的相关性
机译:溅射沉积时间对微电子应用中c轴取向AlN / Si薄膜生长的影响
机译:沉积时间对化学浴沉积法制备CdO薄膜微结构和传输性能的影响
机译:氢等离子体处理时间对Si:H层沉积时间比对逐层沉积氢化硅(Si:H)薄膜的性能影响
机译:脉冲激光烧蚀沉积二氧化锡薄膜的电学性能和微观结构。
机译:钛酸铜钙(CCTO)电陶瓷的简要概述:合成介电性能膜沉积和传感应用
机译:沉积时间对化学浴沉积法制备CdO薄膜的微观结构和传输性能的影响