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机译:使用SiON BARL处理进行0.25μm以下光刻的CD控制
机译:a-Si:H抵抗真空光刻工艺对HgCdTe的影响
机译:通过调整溶剂热加工参数控制纳米晶硫化镉(CdS)的形态和结构
机译:通过调整溶剂热加工参数控制纳米晶硫化镉(CdS)的形态和结构
机译:I-LINE和248-NM光刻中CD控制的TAR处理
机译:使用CCD摄像机视觉和并行数字信号处理(DSP)控制器的自动车辆的制导控制。
机译:CDK13与CDK12合作控制全局RNA聚合酶II的合成能力
机译:通过光刻和蚀刻工艺进行跨晶圆CD均匀性控制:实验验证