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机译:金属/ ZnO界面的肖特基势垒高度:一项第一性原理研究
Univ Cambridge Dept Engn Cambridge CB2 1PZ England;
Swansea Univ Coll Engn Swansea SA1 8EN W Glam Wales;
Schottky barrier heights; Metal/ZnO interface; Si/ZnO interface; Band alignment; First-principles calculation;
机译:界面结构对α-Al_2O_3(0001)/ Ni(111)界面肖特基势垒高度的影响:第一性原理研究
机译:金属/α-SiC{0001}界面的肖特基势垒高度的第一性原理计算
机译:单层金属/ 6H-SiC {0001}界面肖特基势垒高度的第一性原理计算
机译:AB Initio SiC /金属界面的研究:界面结构与肖特基 - 屏障高度之间的关系
机译:弹道电子发射显微镜研究肖特基势垒高度的横向变化。
机译:石墨烯/ ALN界面中肖特基势垒高度的外部电场引起的可调性:第一原理研究
机译:界面结构对-al2O3(0001)/ Ni(111)界面肖特基势垒高度的影响:第一性原理研究