机译:光学测量:硅光电二极管内部量子效率的理论和实验确定
All-Russia Research Institute of Optophysical Measurements (VNIIOFI), Moscow, Russia;
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semiconductor photodiode; current-voltage characteristic; internal quantum efficiency; trap detector;
机译:无偏硅光电二极管和基于光电二极管的陷阱检测器的量子效率测定
机译:硅光电二极管的内部量子效率建模
机译:100%内部量子效率硅光电二极管对200 eV-40 keV电子的响应
机译:硅光电二极管量子效率的温度依赖性:理论和实验结果
机译:界面重组对硅光电二极管量子效率影响的高精度建模
机译:用于高精度应用的硅光电二极管的数值建模第三部分:内插和外推内部量子效率校准
机译:基于两个波长的量子效率关系的测量,通过非接触方法分别确定n + -p(n)-p +硅结构基区的光电参数
机译:100%内部量子效率硅光电二极管对低能电子和离子的响应