机译:锑化镓的制备及其表征
National Remote Sensing Centre, Balanagar, Hyderabad-500037, India;
Department of Mechanical Engineering, Jawharlal Nehuru Technological University, Hyderabad-500072, India;
Centre for Materials for Electronics Technology, Hyderabad 500051, India;
Centre for Materials for Electronics Technology, Hyderabad 500051, India;
Gallium antimonide; Purification; Directional freezing; Purity analysis;
机译:制备纳米晶砷化镓和锑化镓的单源前体。 [Et_2GaAs(SiMe_3)_2] _2,[Et_2GaSb(SiMe_3)_2] _2和Et_2GaAs(SiMe_3)_2Ga(Et)_2Sb(SiMe_3)_2的X射线晶体结构
机译:锑化铟和锑化镓晶体的生长和表征
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机译:(100)锑化镓衬底外延就绪抛光表面的制备研究表明,MBE生长具有超低表面缺陷
机译:锑化镓的分子束外延生长和表征,及其在锑化镓/锑化铝异质结构中的应用。
机译:N型锑化镓中电子密度对费米能的依赖性
机译:锑化铟和锑化镓晶体的生长和表征
机译:铟镓锑雪崩光电二极管和铟镓砷双波段探测器的表征与建模