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机译:基于ECL的SiC逻辑电路可用于极端温度
KTH Royal Institute of Technology, 164 40 Kista, Sweden;
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High-temperature ICs; silicon carbide (SiC); bipolar junction transistor (BJT); ECL;
机译:4H-SiC中基于高温ECL的双极集成电路的设计与表征
机译:用于高温操作的4H-SiC n-MOSFET逻辑电路
机译:极端温度4H-SIC JFET集成电路寿命限制介质裂缝的试验研究
机译:极端温度4H-SiC JFET集成电路寿命限制介质裂缝减缓的实验研究
机译:使用SiC MOSFET的高温逆变器的外围电路研究。
机译:平均输出极化数据集用于表示温度对QCA设计的可逆逻辑电路的影响
机译:4H-SiC中基于高温ECL的双极集成电路的设计与表征