机译:具有深度陷阱的宽带隙接口的照片辅助电晕表征在标准C-V中不可见
Semilab SDI 10770 N. 46th St. Ste. E700 Tampa FL 33617 USA;
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University of South Florida 4202 East Fowler Avenue ENG030 Tampa FL 33620 USA;
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Photo-ionization; Photo-assisted; C-V; Corona; C-V; Dielectric; Interface; SiC; GaN;
机译:使用超能隙照明技术对绝缘体/宽带隙半导体接口进行先进的光辅助电容电压表征
机译:使用超级带隙照明的绝缘子/宽带隙半导体界面的先进照片辅助电容 - 电压表征
机译:用于宽带隙MOS电容器中反型带附近界面陷阱表征的光电容衰减技术
机译:具有深度陷阱的宽带隙接口的照片辅助电晕特性在标准C-V中不可见
机译:使用深能级瞬态光谱研究宽带隙材料中的深层缺陷。
机译:基于深层神经网络的胸部放射线成像中的空气组织自动表征
机译:出版商注:“使用光学响应和阴极发光的ZrO2栅极电介质的”超宽带隙Al0.65Ga0.4n / al0.4ga0.6n / al0.4ga0.6n / al0.4ga0.6n / al0.4ga0.6n / al0.4ga0.6n的陷阱表征“物理。吧。 115,213502(2019)