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Publisher's Note: “Trap characterization in ultra-wide bandgap Al0.65Ga0.4N/Al0.4Ga0.6N MOSHFET's with ZrO2 gate dielectric using optical response and cathodoluminescence” Appl. Phys. Lett. 115, 213502 (2019)

机译：出版商注：“使用光学响应和阴极发光的ZrO2栅极电介质的”超宽带隙Al0.65Ga0.4n / al0.4ga0.6n / al0.4ga0.6n / al0.4ga0.6n / al0.4ga0.6n / al0.4ga0.6n的陷阱表征“物理。吧。 115,213502（2019）

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Mohi Uddin Jewel; Md Didarul Alam; Shahab Mollah; Kamal Hussain; Virginia Wheeler; Charles Eddy; Mikhail Gaevski; Grigory Simin; MVS Chandrashekhar; Asif Khan;
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年度 2019
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1. Publisher's Note: 'Trap characterization in ultra- wide bandgap Al_(0.65)Ca_(0.4)N/Al_(0.4)Ca_(0.6)N MOSHFET's with ZrO_2 gate dielectric using optical response and cathodoluminescence' [Appl. Phys. Lett. 115, 213502 (2019)] [J] . Jewel Mohi Uddin, Alam Md Didarul, Mollah Shahab, Applied Physics Letters . 2019,第24期

机译：出版商注：'陷阱表征在超宽的带隙AL_（0.65）CA_（0.4）N / AL_（0.4）CA_（0.6）使用ZRO_2栅极电介质使用光学响应和阴极发光'[APPL。物理。吧。 115,213502（2019）]
2. Trap characterization in ultra-wide bandgap Al_(0.65)Ga_(0.4)N/Al_(0.4)Ga_(0.6)N MOSHFET's with ZrO_2 gate dielectric using optical response and cathodoluminescence [J] . Jewel Mohi Uddin, Alam Md Didarul, Mollah Shahab, Applied Physics Letters . 2019,第21期

机译：使用光学响应和阴极发光，在超宽带隙AL_（0.65）GA_（0.4）N / AL_（0.4）N / AL_（0.4）N / AL_（0.4）N MOSHFET中的陷阱表征
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机译：出版者注：“关于磁性Weyl半金属Co_3Sn_2S_2的磁化和电子传输的各向异性” [Appl。
4. Publisher's Note: “On the anisotropies of magnetization and electronic transport of magnetic Weyl semimetal Co3Sn2S2” Appl. Phys. Lett. 115, 212403 (2019) [O] . Jianlei Shen, Qingqi Zeng, Shen Zhang, 2020

机译：出版商注：“磁化磁力半型CO3SN2S2”磁化的各向异性和电子传输。“物理。吧。 115,212403（2019）

Publisher's Note: “Trap characterization in ultra-wide bandgap Al0.65Ga0.4N/Al0.4Ga0.6N MOSHFET's with ZrO2 gate dielectric using optical response and cathodoluminescence” Appl. Phys. Lett. 115, 213502 (2019)

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