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机译:使用超能隙照明技术对绝缘体/宽带隙半导体接口进行先进的光辅助电容电压表征
Waseda Univ, Inst Mat & Syst Sustainabil, Tokyo Branch, Nagoya Univ,Shinjuku Ku, Bldg 120-5,513 Waseda Tsurumaki, Tokyo 1620041, Japan|Waseda Univ, Res Org Nano & Life Innovat, Shinjuku Ku, 513 Waseda Tsurumaki, Tokyo 1620041, Japan;
Waseda Univ, Fac Sci & Engn, Shinjuku Ku, 3-4-1 Okubo, Tokyo 1698555, Japan;
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机译:使用超级带隙照明的绝缘子/宽带隙半导体界面的先进照片辅助电容 - 电压表征
机译:半导体-绝缘子界面状态(Si / SiO {sub} 2)的准静态电容-电压特性的改进
机译:高质量原子层沉积Al_2O_3 / GaN金属氧化物半导体结构的光辅助电容电压表征
机译:具有光辅电容 - 电压法的γ-AL_2O_3 /β-GA_2O_3接口的表征
机译:宽带隙半导体材料和器件结构的无损X射线表征
机译:具有绝缘体-半导体接口的有机光电器件中的光电压反转
机译:通过金属-绝缘体-半导体-异质结构电容器的C(V)表征研究氮化硅钝化和AlGaN / AlN / GaN异质结构之间的界面