机译:厚SiO_2层的4H-SIC MOS电容器中热刺激电流的移动离子电荷研究
Univ Lyon 1NSA Lyon CNRS Ampere F-69621 France;
LAPLACE Universite de Toulouse CNRS UPS INPT France;
HYBRIA Institute of Business <$• Technologies Univ Lyon INSA Lyon Ampere UMR 5005 F-69621 France;
LAPLACE Universite de Toulouse CNRS UPS INPT France;
Ion Beam Service ZI Peynier Rousset rue Gaston Imben F-13790 France;
Silicon carbide; Thick oxide; Oxide traps; Mobile ions;
机译:栅电流SiO_2 / 4H-SiC MOS电容器的温度依赖性研究
机译:通过热刺激电流测量和分析对辐射诱导的氧化物陷阱电荷的新见解(MOS电容器)
机译:金属-氧化物-半导体结构介电层中移动离子的场辅助热激发电流
机译:使用转移矩阵法通过HFO_2 / SiO_2纳米厚层模拟通过HFO_2 / SiO_2纳米厚层的捕获电荷
机译:离子液体和电化学双层电容器:电解质结构和电容器性能的研究。
机译:影响3C夹杂物发生的因素的调查用于轴上的轴C面4H-SIC外延层
机译:通过热刺激电流光谱表征n型和半绝缘4H-SiC外延层的深层水平