机译:利用扫描电容显微镜(SCM)和扫描扩展电阻显微镜(SSRM)对SONOS晶体管进行定性掺杂区域表征
School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Republic of Korea;
scanning capacitance microscopy; scanning spread resistance microscopy; SONOS;
机译:ZnO / ZnO:Sb核壳纳米线的截面成像和p型掺杂评估的扫描电容显微镜和扫描扩展电阻显微镜
机译:通过高灵敏度扫描扩展电阻显微镜(SSRM)对低掺杂区域进行全面的2D载流子分析,用于功率器件应用
机译:扫描扩散电阻显微镜(SSRM)确定的高度选择性发射极的局部掺杂曲线
机译:使用扫描电容显微镜(SCM)和扫描扩展电阻显微镜(SSRM)对基于InP的结构进行2D载流分析
机译:通过扫描电容和近场扫描光学显微镜通过磷化镓铟磷化铟的电气和光学表征
机译:使用扫描液滴细胞显微镜表征光伏用高性能共轭聚合物的局部电化学掺杂
机译:双镜片电子全息,扫描电容显微镜(SCM),扫描抗膨胀电阻显微镜(SSRM)比较半导体2-D结表征