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机译:探测非故意掺杂n-GaN中位错电活动的方法
Centra de Investigation y de Estudios Avanzados del Institute Politecnico National, Av. Instituto Politecnico National No 2508, Mexico D.F., CP 07360, Mexico;
Centra de Investigation y de Estudios Avanzados del Institute Politecnico National, Av. Instituto Politecnico National No 2508, Mexico D.F., CP 07360, Mexico;
Croupe d'Etudes de la Mature Condensee, Universite de Versailles, CNRS (UMR 8635), Batiment FERMAT, 45, Avenue des Etats-Unis, 78035 Versailles, France;
dislocation; gallium nitride; passivation;
机译:Sb掺杂对通过简单CVD方法在n-GaN / Al2O3衬底上制备的p-ZnO薄膜的结构,光学和电学性质的影响
机译:SEM-EBIC法研究硅中错位滑动电活性
机译:探索重掺杂多晶硅纳米线电性能的新方法
机译:金属/ N-GaN和PCVD-SIO_2 / N-GAN接口的电气性质
机译:使用先进的扫描探针技术对氮化镓中的位错进行电学表征。
机译:非易失性存储应用中的扫描探针显微镜技术对掺杂铜的氧化锌薄膜中的陷获电荷进行电学研究
机译:探讨喷雾热解法制备的Al,Ga和In掺杂ZnO的掺杂机理和电性能
机译:同步辐射形貌探测的Cd掺杂锌晶体中裂解伴随位错弛豫的能量学