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机译:使用3D NAND闪存应用电荷泵技术分析与隧道氧化物退化相关的界面陷阱的能量分布
School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-713, Republic of Korea;
School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-713, Republic of Korea;
School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-713, Republic of Korea;
3D NAND; CTF; SONOS; Charge pumping technique;
机译:用电荷泵法提取氮化硅阱中能量分布的氮化硅-氮化物-氧化硅-硅闪存
机译:光学辅助电荷泵技术提取界面陷阱能量分布的方法
机译:使用新型电荷泵技术全面研究MOSFET中热载流子诱导的界面和氧化物陷阱的分布
机译:排除浮栅效应,NAND闪存隧道氧化物的界面和氧化物陷阱分析
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:通过利用氧化铝的高介电常数和高带隙低功率和闪光阵列的低功率和闪光阵列的保留增强
机译:使用新型电荷泵技术全面研究MOSFET中热载流子诱导的界面和氧化物陷阱的分布