机译:纳米棒结构的Si_(1-x)Ge_x阳极的电化学性能
State Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, PR China;
School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, PR China;
School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, PR China;
Chemical vapor deposition; Microstructure; Electrochemical performance;
机译:应变n型Si_(1-x)Ge_x / Si / Si_(1-x)Ge_x双势垒结构中的电子隧穿
机译:应变Si_(1-x)Ge_x和Si_(1-x-y)Ge_xC_y异质结构的光学性质
机译:使用俄歇电子能谱和斜角结构的扩展电阻曲线表征应变硅量子阱和Si_(1-x)Ge_x异质结构
机译:W / WN_x / POLY SI_(1-x)GE_x的电子特性和W / WN_x / POLY SI_(1-x)GE_x闸门堆栈的MOSCAP结构
机译:用于光电探测器应用的高性能Glad Nanorod CuInxGa(1-x)Se2阵列,具有增强的载流子收集和光陷波功能
机译:烧结温度诱导的微观结构演变和增强的电化学性能:溶胶凝胶衍生的LiFe(MoO4)2微晶作为锂离子电池的理想阳极材料
机译:V $ LT; INF $ GT; 2 $ LT; / INF $ GT; TI LT; INF $ GT; 0.5 $ LT; / INF $ GT; CR $ LT; INF $ GT; 0.5 $ LT; 0.5 $ LT; 0.5 $ LT; 0.5 $ LT; /infr ni .; infrgt ;;1-x口; /克;/INF HURGT; MO,;;INFHT; XLLT; / X = = = = 0.02-0.08)NI / MH电池阳极材料
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型