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Corrigendum to 'A simple route to deposit SiO_2 film with resistivity >10~9 Ω ·μm' [Mater. Lett. 211 (2018) 277-280]

机译:“沉积电阻率> 10〜9Ω·μm的SiO_2薄膜的简单方法”的更正[材料。来吧211(2018)277-280]

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