机译:氦离子注入4H和6H-SiC的拉曼光谱研究
Anna Univ, Crystal Growth Ctr, Chennai 600025, Tamil Nadu, India;
Anna Univ, Crystal Growth Ctr, Chennai 600025, Tamil Nadu, India;
Indian Inst Sci Educ & Res, Thiruvanthapuram, India;
Interuniv Accelerator Ctr, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, India;
Ion Implantations; SiC; Raman;
机译:离子注入6H-SiC的深紫外和可见拉曼光谱研究:近表面区域的再结晶行为和热分解/热蚀刻
机译:在注入的P型区域上的4H和6H-SiC MOSFET中反转和累积层电子传输的表征
机译:注入区域上4H和6H-SiC MOSFET的反型层中的电子传输模型
机译:从er-incormanted 4h和6h-sic的光致发光
机译:离子注入砷化镓和磷化铟(光学,III-V,半导体)的拉曼光谱研究。
机译:在6H-SiC的Si和C面上生长的外延石墨烯的微拉曼光谱和微透射成像
机译:4H和6H-SiC EI4中心的EPR和从头算计算研究