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机译:具有四方钨青铜型结构的GdK2Nb5O15外延薄膜中的双极电阻切换和衬底效应
Univ Picardie Jules Verne, LPMC, 33 Rue St Leu, F-80039 Amiens, France;
Univ Picardie Jules Verne, LPMC, 33 Rue St Leu, F-80039 Amiens, France;
Univ Picardie Jules Verne, LPMC, 33 Rue St Leu, F-80039 Amiens, France;
Univ Sud Toulon Var, IM2NP, Ave Univ, F-83957 La Garde, France;
Univ Picardie Jules Verne, LPMC, 33 Rue St Leu, F-80039 Amiens, France;
Ferroelectric thin film; TTB-structure; Pulsed laser deposition; Resistive switching; Reciprocal space map;
机译:具有四方钨青铜型结构的(00ℓ)取向GdK_2Nb_5O_(15)薄膜中的电阻转换
机译:基于外延BA2NDFENB4O15的多体性纳米复合薄膜,具有四方钨青铜结构
机译:Nb掺杂SrTiO3衬底上外延Mn3O4薄膜的双极电阻转换
机译:Gd_2O_3薄膜结构的双极阻变特性
机译:铌酸钨铜薄膜和纳米晶体的拉曼光谱和光学表征
机译:(100)/(001)取向四方外延Pb(Zr0.4Ti0.6)O3薄膜在电场作用下超快90°域转换的原位观察
机译:具有四方钨青铜结构的铌酸钾和锶的合成和结构表征TTB具有四方钨青铜TTB型结构的铌酸锶钾的合成和结构表征
机译:用于电光器件应用的铁电钨青铜外延薄膜的生长。