半導体プロセスの微細化を支える検査技術の動向

摘要

半導体の微細化はますます進んでおり，2006年現在，65nm（half pitch 90nm）ノードでの量産が始まっている。45nm（hp65）ノードの製品も開発が進められており，2007年の後半には生産が始まるともいわれている。2010年にはゲート長10nm程度のトランジスタの実現も視野に入っているというメーカーもあり，まさに微細化は留まる所を知らないという印象である。もっとも，これら微細化のための開発，量産に要する投資は膨大であり，全ての半導体メーカーがこういった最先端の微細化を推し進めているわけではないようだ。