机译:表面处理和界面层对InAs中电自旋注入效率和传输的影响
机译:镍中间层对YIG / PT界面旋转运输效率的影响
机译:在InAs上外延生长Fe期间减少界面反应,从而实现高效自旋注入
机译:绝缘体上的二茂铁:硅烷耦合到SiO2表面,并对掩埋界面的电气输送与有机半导体层的影响
机译:从铁磁电极自旋注入InAs表面反型层
机译:通过具有远程等离子体处理的地下缺陷工程控制金属-氧化锌界面处的电传输机制。
机译:通过在绝缘GaAs / AlGaAs量子阱的界面处插入超薄InAs层来调整Rashba / Dresselhaus自旋分裂
机译:绝缘体上的二茂铁:硅烷耦合到SiO2表面,并对掩埋界面的电气输送与有机半导体层的影响