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机译:高温“烧制”步骤对用作硅太阳能电池体钝化抗反射涂层的高速率等离子体沉积氮化硅膜的影响
Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands;
机译:具有快速沉积(180 nm / min)钝化热线CVD氮化硅作为抗反射涂层的多晶硅太阳能电池
机译:异质衬底上用于薄膜太阳能电池的氮化硅和本征非晶硅双抗反射涂层
机译:高速沉积(> 1 nm / s)氮化硅膜引起的多晶硅太阳能电池的整体钝化
机译:快速沉积的热线CVD硅氮化物在MC-SI太阳能电池上钝化抗反射涂层的优化
机译:氮化硅(氢)层对多晶硅太阳能电池的表面和整体钝化:建模和实验。
机译:单结GaAs太阳能电池上溅射的二氧化硅氧化铟锡和二氧化硅/氧化铟锡抗反射涂层的电学和光学特性
机译:高温“烧制”步骤对用作硅太阳能电池体钝化抗反射涂层的高速率等离子体沉积氮化硅膜的影响