机译:在绝缘膜上机械和热转移硅上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管的应变和电特性
University of California, San Diego, Materials Science and Engineering Program and the Department of Electrical and Computer Engineering, 9500 Gilman Drive, MC 0407, La Jolla, California 92093-0407;
机译:使用经济高效的最小制造工艺研究圆形绝缘体上硅膜上制造的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的压阻效应
机译:通过横向应变松弛制造的绝缘体上不对称应变的InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的物理理解
机译:侧向液相外延制备带Ge条纹的绝缘体上Ge型金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移特性
机译:机械应变对新栅极电介质的非晶硅薄膜晶体管电性能的影响
机译:用于平板显示器的热剥离和机械剥离的硅膜的电学特性。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜作为金属氧化物半导体场效应晶体管中的替代沟道材料
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管