制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

摘要

一种制造SOI MOSFET的方法，该MOSFET包括在设置于绝缘衬底上的上半导体层中形成的第一导电类型的完全耗尽型的沟道区、夹置沟道区来形成的第二导电类型的源/漏区，在沟道区之上插入有栅绝缘层形成的栅电极，该方法包括通过与源/漏区相邻的沟道区的沟道边缘区的杂质浓度设置得高于沟道区的沟道中心区的杂质浓度来形成沟道区，并设置沟道中心区的阈值电压Vtho和沟道边缘区的阈值电压Vth_edge，以致阈值电压Vtho相对于上半导体层的厚度的变化和阈值电压Vth_edge的变化相对于上半导体层的厚度的变化是相反符号。