机译:利用核诱导固相结晶在大晶粒尺寸多晶硅膜上形成的三维薄膜晶体管氧化硅-氮化物-氧化硅-硅存储单元
Matrix Semiconductor Inc., 3230 Scott Boulevard, Santa Clara, California 95054;
机译:铝诱导非晶硅结晶形成的N型多晶硅膜上的固相外延
机译:使用重整结晶退火技术固相结晶制备的多晶硅薄膜
机译:具有垂直于沟道的位置受控晶界的激光结晶多晶硅氧化硅氮化物氧化硅薄膜晶体管的存储特性
机译:通过金属诱导的侧向晶化形成具有SOI CMOS性能的单晶薄膜晶体管(TFT)
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:不同沉积条件下TINI形状记忆合金薄膜的晶粒尺寸和相变行为
机译:通过固相结晶获得的原位掺杂未氢化多晶硅薄膜制造的薄膜晶体管