...
机译:金属有机化学气相沉积生长的1.32μmInAs / GaAs量子点谐振腔发光二极管
Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan 300, Republic of China;
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的高效1.3μmInGaAs / GaAs量子点微腔发光二极管
机译:电注入的InGaAs / GaAs量子点微腔发光二极管工作于1.3μm,并通过金属有机化学气相沉积法生长
机译:金属有机化学气相沉积法生长的InAs / GaAs自组装量子点激光器-生长后退火对堆叠的InAs量子点的影响
机译:1.28 / spl mu / m InAs / GaAs量子点激光器,具有通过金属有机化学气相沉积法在低温下生长的AlGaAs包覆层
机译:金属有机化学气相沉积生长的铟镓氮基发光二极管
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:在Gaas衬底上通过金属有机化学气相沉积生长的InGaas / InGaasp / InGap量子阱激光二极管的界面结构
机译:通过金属有机化学气相沉积在Gaassubstrates上生长的Inas(0.3)sb(0.7)层中载流子传输的详细分析