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机译:GaAs量子线晶体管中的器件干扰及其通过Si界面控制层的表面钝化抑制
Hokkaido Univ, RCIQE, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan;
Hokkaido Univ, Grad Sch Informat Sci & Technol, Sapporo, Hokkaido 0608628, Japan;
WRAP-GATE CONTROL; SCHOTTKY; CIRCUITS; MESFETS; LEAKAGE;
机译:GaAs量子线晶体管中的表面感应大侧选通现象及其使用Si界面控制层的表面钝化去除
机译:基于Si中间层的AlGaAs / GaAs量子线晶体管表面钝化工艺的原位X射线光电子能谱表征
机译:用于GaAs量子线器件钝化的(111)B表面上的硅中间层的MBE生长和原位XPS表征
机译:使用超薄Si界面控制层的钝化技术,用于空气暴露的InGaAs表面
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:CsPbI3钙钛矿有源层的自发银掺杂和表面钝化可实现外部量子效率为11.2%的发光器件
机译:用于Gaas量子线器件钝化的(111)B表面上的硅中间层的mBE生长和原位Xps表征
机译:具有p掺杂表面层的alGaas / InGaas假晶调制掺杂场效应晶体管的制作