机译:模拟由于碳结合而抑制Si / SiGe中硼扩散
McMaster Univ, Dept Elect & Comp Engn, Hamilton, ON L8S 4K1, Canada;
Katholieke Univ Leuven, Dept Elect Engn, B-3001 Louvain, Belgium;
IMEC, B-3001 Louvain, Belgium;
TRANSIENT-ENHANCED DIFFUSION; SILICON; SI;
机译:通过碳掺入完全抑制Si_(1-x)Ge_x中硼向外扩散的建模
机译:抑制基于SiGe的器件材料快速热退火过程中碳引起的硼扩散-一些评论
机译:抑制基于SiGe的器件材料快速热退火过程中碳引起的硼扩散-一些评论
机译:通过碳掺入抑制硼在SiGe HBT中的瞬态增强扩散
机译:与抑制粉尘爆炸有关的动力学研究(碳酸钙,热分解,碳酸氢钾,层流火焰模型)。
机译:扩散张量牵引:探索将CSF抑制成光纤跟踪算法的成本效益比
机译:通过碳掺入改善FD-SOI技术的SiGe源漏中的硼掺杂