机译:基于GaAs或InAs的超四面体层
Univ Munich LMU, Dept Chem, Butenandtstr 5-13, D-81377 Munich, Germany;
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机译:基于GaAs或Inas的SuperteTrahedral层
机译:具有Al0.9Ga0.2As0.1Sb0.9势垒层的基于中红外InAs0.79Sb0.21的nBn光电探测器,以及与InAs0.87Sb0.13 p-i-n二极管的比较,二者均使用界面失配阵列在GaAs上生长
机译:具有Al_(0.9)Ga_(0.2)As_(0.1)Sb_(0.9)势垒层的中红外InAs_(0.79)Sb_(0.21)基nBn光电探测器,以及与InAs_(0.87)Sb_(0.13)引脚二极管的比较使用界面失配阵列在GaAs上生长
机译:覆盖有InGaAs层的单层和多层耦合InAs / GaAs QD中的基态能量趋势:InGaAs层厚度和RTA处理的影响
机译:混合尺寸INAS / GAAS系统宽带超快光谱=混合尺寸INAS / GAAS系统的宽带超快光谱
机译:通过在绝缘GaAs / AlGaAs量子阱的界面处插入超薄InAs层来调整Rashba / Dresselhaus自旋分裂
机译:在高频应用中,在成核量子点阈值以下和附近的InAs层厚度下,调制掺杂N-AlGaAs /(InAs / GaAs)/ GaAs超晶格的分子束外延
机译:分子束外延生长在Gaas衬底上的(Inas)m(Gaas)n短周期超晶格层的研究