机译:窄间隙半导体CsBi_4Te_6中的超导性
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, United States;
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, United States;
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, United States;
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, United States Department of Chemistry, Northwestern University, Evanston, Illinois 60208, United States;
机译:三维掺杂窄带隙半导体中的轴离子超导性
机译:具有Na和K掺杂的超导和结构转换窄间隙半导体CSBI4Te6
机译:窄间隙半导体中磁磁敏性和电导率振动的温度依赖性建模
机译:利用光致发光光谱学研究低维窄间隙半导体
机译:时间解析的in is和基于内部窄间隙半导体的光谱
机译:会议报告:窄间隙半导体和相关材料国际会议1989年6月12日至15日马里兰州盖瑟斯堡
机译:高压和高磁场下窄间隙半导体中量子传输现象