机译:GaAs衬底上生长的In_0.17Ga_0.83As层的梯度生长和均匀化
机译:在在(001)GaAs底物上生长的异质结构中,在阶梯分解变质缓冲层中形成弹性应激状态的能量支出
机译:分子束外延生长GaAs衬底上应变弛豫与InxAl1-xAs成分梯度阶梯缓冲层的相互关系
机译:在Si衬底上生长InGaAs梯度层的InGaAs CaP层中的螺纹位错
机译:应变弛豫和in_xAl_(1-x)之间的相互关联作为分子束外延生长的GaAs底物上的组成分步缓冲层
机译:减少在GaAs底物上生长在GaAs底物上的喘气脱位,用于光伏和蒸煮器应用
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:在GaAsP衬底上生长的InGaAsP层的液相外延生长和表征,用于橙色发光二极管
机译:用于太空太阳能电池基板的Czochralski生长的N和p型Gaas的生长和表征