机译:栅极工程和通道长度变化在周围栅极MOSFET中的影响
Dayananda Sagar Coll Engn Dept ECE Bengaluru 560078 Karnataka India;
Natl Engn Coll Dept ECE Kovilpatti 628503 Tamil Nadu India;
DM SG MOSFET; Gate Engineering; Drain Current; Transconductance;
机译:用于长通道未掺杂栅极堆栈周围栅极MOSFET的分析漏极电流模型,包括界面固定电荷
机译:通过高k栅堆叠的长沟道圆柱形环绕栅MOSFET的直接隧穿电流的分析模型
机译:横向不对称通道和栅极堆叠结构对环绕栅极MOSFET器件性能的影响
机译:横向非对称沟道和栅极堆叠设计对周围栅极MOSFET器件性能的影响:建模和仿真研究
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:具有高移动通道的15nm栅极长度双栅极N-MOSFET的性能评估:III-V,GE和SI
机译:具有空气/半导体反射镜的长波长垂直腔体激光器:用于硅mOsFET的纳米级栅极技术