机译:通过在具有纳米结构的硅p-i-n二极管的本征区中插入锗量子点来增强红外区中的光伏效应
Center for Engineering Research, Center of Research Excellence in Corrosion, Research Institute, King Fahd University of Petroleum &amp Minerals, P. O. Box 1639, Dhahran, 31261, Saudi Arabia;
机译:HM Tawancy对文章的评论:“通过在具有纳米结构的硅Pin二极管的本征区中插入锗量子点来增强红外区中的光伏效应”(材料科学杂志DOI:10.1007 / s10853-011-5728-9 )
机译:对有关“通过插入具有纳米结构的硅p-i-n二极管的本征区的锗量子点增强红外区的光伏效应”的评论的回应
机译:HM Tawancy对文章的评论:“通过在具有纳米结构的硅pin二极管的本征区中插入锗量子点来增强红外区中的光伏效应”(材料科学学报,DOI:10.1007 / s10853-011-5728-9 )
机译:基于量子阱和量子点有源区的1.55μm超发光二极管
机译:具有量子点有源区的高性能激光器和自旋极化发光二极管。
机译:通过形成包含Si量子点/ SiC多层膜的p-i-n结构来增强光伏性能
机译:通过形成包含Si量子点/ SiC多层膜的p-i-n结构来增强光伏性能