机译:PVP和Al_2O_3薄膜电介质性能及其在低温溶液加工IGZO基薄膜晶体管中的实施
Department of Materials Science and Engineering & National Center for Flexible Electronics Indian Institute of Technology Kanpur Kanpur 208016 India;
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机译:退火条件对铟锌锡氧化物薄膜晶体管固溶处理Al_2O_3层介电性能的影响
机译:用于高迁移率金属氧化物薄膜晶体管的溶液处理掺杂镧的Al_2O_3栅极电介质
机译:低温制备的Al_2O_3 / BN复合电介质的高性能溶液处理IGZO薄膜晶体管
机译:真空调味工艺对所有溶液处理的有机薄膜晶体管中作为有机栅介质的聚4-乙烯基苯酚(PVP)的影响
机译:了解具有高k栅极介电常数的固溶处理金属氧化物薄膜晶体管的迁移率。
机译:具有固溶处理的金属氧化物半导体和介电膜的可穿戴式1 V工作薄膜晶体管通过低温深紫外光退火在低温下制成
机译:低温,溶液处理,透明氧化锌基薄膜晶体管,用于检测各种溶剂