...
机译:基于CdSe量子点/ AlOx的非易失性电阻存储器
Millimeter-wave INnovation Technology Research Center (MINT), Dongguk University, Seoul 100-715, Republic of Korea;
Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 100-715, Republic of Korea;
Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 100-715, Republic of Korea;
机译:由CdSe量子点通过倾斜角沉积嵌入热生长的In2O3纳米结构中制成的非易失性电阻存储器件
机译:具有Ti / CdSe量子点/ Ti-TiOx / CdSe量子点/铟锡氧化物结构的溶液处理非易失性电阻存储器件
机译:基于溶液处理的基于量子点的非易失性电阻存储器中的超快速切换
机译:用于检测痕量非挥发性炸药的量子点:TNT对CdSe量子点荧光的影响
机译:硒化锌镉包覆的量子点电致发光和非易失性存储器件。
机译:人工控制电阻迁移中的铜迁移通过在基于a-COx的导电桥随机访问存储器中使用优化的AlOx界面层来进行突触和葡萄糖/唾液检测
机译:基于硅纳米晶体量子点的耐辐射,低功耗非易失性存储器