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机译:气相中镓浓度对AP-MOVPE生长的InGaAsN合金成分的影响与其结构和光学性质的关系
Wroclaw Univ Sci & Technol Fac Microsyst Elect & Photon 11-17 Janiszewskiego St PL-50372 Wroclaw Poland;
Wroclaw Univ Sci & Technol Fac Fundamental Problems Technol Wybrzeze Wyspianskiego 27 PL-50370 Wroclaw Poland;
机译:AP-MOVPE使用N / sub 2 /作为载气生长的InGaAsN / GaAs体结构的室温激光操作
机译:通过X射线光电子能谱结合体和表面表征技术揭示AP-MOVPE生长的晶格失配InGaAsN薄膜中的原子构型
机译:分子束外延生长的InGaAsN量子阱中具有InAs量子点的异质结构的结构和光学性质
机译:MOVPE种植的InGaAsn合金半导体的组成和光学特性
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的氮化铟,氮化铟镓合金的光学,结构和传输性能。
机译:在元素影响因子上一种确定合金对相稳定性和冶金材料性能的方法
机译:AP-MOVPE中的原子配置生长X射线光电子光谱与散装和表面表征技术联合的X射线光电子谱凸出的晶格 - 失配的夹具薄膜
机译:具有原生晶格参数的Inas1-xsbx合金在成分分级缓冲器上生长:结构和光学特性。