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机译:InGaN / GaN / Al_2O_3多量子阱的光学性质的详细研究
Gazi Univ, Phys Dept, TR-06500 Ankara, Turkey;
Gazi Univ, Phys Dept, TR-06500 Ankara, Turkey|Gazi Univ, Photon Res Ctr, TR-06500 Ankara, Turkey;
Gazi Univ, Phys Dept, TR-06500 Ankara, Turkey|Gazi Univ, Photon Res Ctr, TR-06500 Ankara, Turkey;
Gazi Univ, Phys Dept, TR-06500 Ankara, Turkey|Gazi Univ, Photon Res Ctr, TR-06500 Ankara, Turkey;
Gazi Univ, Biol Dept, TR-06500 Ankara, Turkey;
Bilkent Univ, Phys Dept, TR-06500 Ankara, Turkey;
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机译:GaN盖层生长后的热退火工艺对InGaN / InGaN多量子阱的结构和光学性质的影响
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机译:InGaN / GaN多量子阱结构:亚微米结构,光学,电和化学性质。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:生长在a面和m面GaN衬底上的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究