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机译:SiGe层的低温真空紫外线辅助氧化形成的介电层的特性
机译:具有高压缩层间介电SiN_x应力层的SiGe p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低频噪声特性
机译:在没有界面层的Ge上使用超高真空沉积的高κ电介质有效地钝化和高性能的金属氧化物半导体器件
机译:具有低温缓冲层的SiGe / Si多层异质结构中位错结构的形成
机译:使用聚焦离子束注入在Si和SiGe中形成局部介电层
机译:层状,氮掺杂的氧化ha和氧化铝薄膜的开发和特性,可用作宽温度电容器电介质。
机译:富镍层状氧化物复合正极上低温Al2O3 ALD涂层对锂离子电池长期循环性能的影响
机译:层状复合氧化物质子形式的低温变换HLNTiO4和H2LN2TI3O10(LN = LA,ND)
机译:通过湿法氧化沉积在si(100)上的非晶siGe层产生的外延si(1-X)GE(x)薄膜的形成