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机译:使用掠射角沉积在H终止的Si(110)上生长的铜纳米线阵列的外延生长
Center for Materials for Information Technology and Department of Physics and Astronomy, The University of Alabama, Tuscaloosa, Alabama 35487;
机译:使用掠角沉积制备的外延铜纳米线阵列中的临界高度和生长模式
机译:通过脉冲沉积生长的Bi_(1-x)Sb_x纳米线阵列的结构和成分表征,以提高生长均匀性
机译:Si(110)衬底上外延生长的硅化铁纳米线的热稳定性
机译:通过垂直对齐ZnO纳米线的化学气相沉积对增长温度对外延生长的影响
机译:化学气相沉积生长五股结构的铜纳米线及其应用研究。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:通过双步工艺及其有益钝化效果在ZnO纳米线上产生的外延TiO2壳体在ZnO纳米线上生长及其有益钝化效应