...
机译:通过混合物理化学气相沉积法生长的室温铁磁GaCuN薄膜的结构,光学和电子性质
Materials Science and Engineering Department, POSTECH, Pohang, Gyungbuk 790-784, Republic of Korea;
Materials Science and Engineering Department, POSTECH, Pohang, Gyungbuk 790-784, Republic of Korea;
Department of Physics, POSTECH, Pohang. Gyungbuk 790-784, Republic of Korea;
Department of Physics, POSTECH, Pohang. Gyungbuk 790-784, Republic of Korea;
Department of Physics, Sogang University, Seoul, 100-611, Republic of Korea;
机译:混合物理化学气相沉积法生长外延Bi2Se3薄膜的结构和电学性质
机译:混合物理化学气相沉积法生长Bi_2Se_3外延薄膜的结构和电学性质
机译:通过混合物理化学气相沉积在不同温度下生长的MgB / sub 2 /薄膜
机译:混合物理化学气相沉积法在碳化硅衬底上生长的MgB_2厚膜
机译:通过有机分子束沉积生长的结晶有机薄膜的结构和光学性质。
机译:使用低温气相陷阱热化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的Zno微米/纳米结构:结构和光学性质
机译:厚度依赖性外延mgB2薄膜的性质 通过混合物理化学气相沉积生长
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响