机译:电沉积Co-Cu / Cu多层膜中Co层厚度的磁性层结构演变的磁和磁阻研究
Materials Processing Division, Bhabha Atomic Research Centre, Trombay, Mumbai-400085, India;
Surface Engineering Division, National Aerospace Laboratories, Bangalore-560 017, India;
Superconductivity & Cryogenics Division, National Physical Laboratory, Dr. K. S. Krishnan Marg, New Delhi-110012, India;
GMR; CoCu/Cu multilayers; electrodeposition; superparamagnetism;
机译:电沉积Co-Cu / Cu多层膜中巨磁阻和磁性能的温度依赖性:超顺磁性区域的作用
机译:纳米电沉积Co膜和Co / Cu层状结构的磁和磁电阻研究:磁层厚度的影响
机译:Co-Cu体系中合金形成工艺对DC磁控溅射法制备的具有超薄Co层的多层Co / Cu膜的磁和磁阻性能的影响
机译:具有Co-Cu缓冲层的溅射CO / Cu多层结构的大型GMR值
机译:交换耦合的磁性/“非磁性”多层结构中的铁磁共振研究。
机译:磁控溅射镍/碳多层膜中层厚度变化的微观结构演变
机译:电沉积Co-Cu / Cu多层膜中巨磁阻和磁性能的温度依赖性:超顺磁性区域的作用
机译:具有Co-Cu缓冲层的溅射Co / Cu多层结构的大GmR值