机译:专利申请批准过程中的“缺陷梯度提高了非易失性存储器的性能”
Chalcogens; Technology; Intermolecular Inc..;
机译:专利申请批准过程中的“评估时空存储系统中的性能”
机译:高性能非易失性存储应用中HfO_2膜的缺陷状态和电荷俘获特性
机译:专利申请批准过程中的“高性能射频应用传输线”
机译:Ovonic统一存储器-用于独立存储器和嵌入式应用程序的高性能非易失性存储器技术
机译:用于铁电非易失性存储应用的铌酸锂薄膜的处理和表征。
机译:面向高性能非易失性存储器应用的侧面栅极In2O3纳米线铁电FET
机译:高性能非易失性存储应用中HfO2膜的缺陷状态和电荷俘获特性