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【24h】

'Defect Gradient to Boost Nonvolatile Memory Performance' in Patent Application Approval Process

机译:专利申请批准过程中的“缺陷梯度提高了非易失性存储器的性能”

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摘要

2013 MAR 27 (VerticalNews) -- By a News Reporter-Staff News Editor at Journal of Engineering -- Anpatent application by the inventors Wang, Yun (San Jose, CA); Chiang, Tony (Campbell, CA); Hashim,nImran (Saratoga, CA), filed on September 1, 2011, was cleared for further review on March 14, 2013,naccording to news reporting originating from Washington, D.C., by VerticalNews correspondents.
机译:2013年3月27日(VerticalNews)-由《工程杂志》的新闻记者-工作人员新闻编辑-发明人Wang Yun的专利申请(加利福尼亚州圣何塞); Chiang,Tony(加利福尼亚坎贝尔);根据VerticalNews通讯员来自华盛顿特区的新闻报道,2011年9月1日提交的Hashim,nImran(加利福尼亚州萨拉托加)已获准进一步审核,以便于2013年3月14日进行进一步审查。

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