机译:用于高性能非易失性存储器应用的侧面门控2 O 3纳米线铁电FET
机译:HfTaO缓冲层对非易失性存储应用中铁电门FET的数据保留特性的影响
机译:用于非易失性存储应用的高性能黑磷顶栅铁电晶体管
机译:使用p型Si纳米线通道实现高性能铁电栅FET非易失性存储器
机译:用于铁电非易失性存储应用的铌酸锂薄膜的处理和表征。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件,使用p型硅纳米线通道