机译:Ⅴ/Ⅲ比在金属有机气相外延GaAs / Ge异质结构的生长和结构特性中的作用
CNR-MASPEC Institute, Via Chiavari 18/A, I-43100 Parma, Italy;
extended defects; GaAs/Ge heterostructure; interface diffusion; metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE); surface morphology;
机译:(111)A GaAs衬底上金属有机气相外延生长及GaAs / AlGaAs和InGaAs / GaAs量子阱结构的性质
机译:低压金属有机气相外延生长GaAs上InAs厚膜的生长和结构性能
机译:低温沉积的分解屏蔽层对金属有机气相外延生长在(001)GaAs上生长的立方GaN外延层的结构和光致发光特性的关键作用
机译:基于六边形GaAs / Algaas柱阵列的2D光子晶体的生长和光学性能通过选择性区域冶金液相外延
机译:金属有机气相外延(MOVPE)的生长和III-氮化物异质结构的表征,用于电子设备。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:GaAs金属有机气相外延生长工艺可减少Ge从Ge衬底向外扩散