机译:6H-SiC晶片中的畴结构及其对在AlN和Al_(0.2)Ga_(0.8)N缓冲层上生长的GaN膜的微观结构的影响
Materials Science and Engineering, North Carolina State University, 240 Research Bldg 1, 1001 Capability Dr., Raleigh, NC 27695, USA;
A1. characterization; A1. defects; A1. X-ray diffraction; A3. metalorganic vapor phase epitaxy; B1. nitrides; B2. semiconducting silicon compounds;
机译:插入低温Al_(0.8)Ga_(0.2)N中间层的GaN薄膜的光学性能和微观结构
机译:费米能级在Al_(0.2)Ga_(0.8)N表面上的位置以及在有和没有AIN层的Al_(0.2)Ga_(0.8)N / GaN异质结构中的电场分布
机译:使用光霍尔效应测量对在6H-SiC衬底上生长的Al0.2Ga0.8N / AlN / GaN / AlN异质结构进行自洽散射分析
机译:缓冲层生长温度对GaAs(001)基材上生长的立方GaN薄膜微结构的影响
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:使用光霍尔效应测量在6H-SiC基材上生长的Al0.2Ga0.8N / AlN / AlN异质结构的自我一致散射分析