机译:在InP(001)上压缩和拉伸应变的InGaAs的2D / 3D生长模式转变中的关键2D核的实验证据
Laboratoire d'Electronique, Optoelectronique et Microsystemes-LEOM, Ecole Centrale de Lyon, UMR-CNRS 5512, 36 Avenue Guy de Collongue, F-69134, Ecully Cedex, France;
Al. 2D/3D growth mode transition; A1. critical nuclei; A1. scanning tunneling microscopy; A3. molecular beam epitaxy; B1. InGaAs/InP;
机译:表面能和表面重构在INP(001)上应变InxGA1-XAS层从2D到3D生长模式转变的作用
机译:用InP(001)上的高拉伸应变InGaAsP势垒控制1.55μm柱状InAs量子点的极化
机译:In0.3Ga0.7As / GaAs(001)中的2D-3D生长模式转变的原位监测
机译:压缩和拉伸应变的InGaAs / InP异质结构的结构特性
机译:与盐溶解和伸展构造有关的受盐影响的正断层:北海盐谷盐墙,犹他州和丹麦中部格拉本,北海的3D地震分析和2D数值模拟:与盐溶解和伸展构造有关的受盐影响的正断层:犹他州盐谷盐墙和北海丹麦中部Graben的3D地震分析和2D数值建模
机译:Prime-3d2D是3D2D模型用于预测蛋白质-RNA相互作用的结合位点
机译:表面能量和表面重建对INP(001)上应地素X-Xaslayers的2D-3D生长模式转变的作用
机译:si(100)上应变Ge薄膜生长过程中的三角阶梯不稳定性和2D / 3D过渡