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机译:孪生结构对在GaAs(100)衬底上MOCVD生长的CdTe(111)层形貌的影响
Department Fisica Aplicada, Universitat de Valencia, C/Dr. Moliner 50, Burjassot (Valencia) 46100, Spain;
A1. atomic force microscopy; A1. growth models; A1. X-ray texture analysis; A3. metalorganic chemical vapour deposition; B1. CdTe;
机译:盘基板保持器旋转频率对MOCVD GAAS层晶体结构特性的影响
机译:MoCVD在GaAs Epi-ready底板上生长的Hillocks形成的研究
机译:GaAs(211)B衬底上生长的CdTe外延层中微孪晶的存在和原子排列
机译:底物温度对等离子体增强MOCVD生长的CDTE薄膜微观结构的影响(001)GaAs
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:GaAs(210)衬底上生长的多层InGaAs纳米结构
机译:Si(x)N(y)中间层对通过MOCVD在Si(111)衬底上生长的GaN外延层质量的影响
机译:Gaas衬底上生长的mOCVD CdTe外延层中的晶格参数异常