机译:反应沉积制备ZnO薄膜的结构,光学和电学性质
State Key Laboratory for Silicon Materials, CMSCE, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China;
A1. hall effect; A1. UV-Vis absorption; A1. X-ray diffraction; A3. reactive deposition; A3. thin film; B1. zinc oxide;
机译:反应等离子体沉积制备大面积掺镓ZnO薄膜的电学和光学性质
机译:通过超细原子层沉积制备的Si掺杂ZnO薄膜的结构,电气和光学性质
机译:沉积速率对喷雾热解法制备氧化锌(ZnO)薄膜的结构,光学和电学性质的影响
机译:DC反应磁控溅射制备的Zr掺杂ZnO薄膜电气和光学性能研究
机译:金属有机化学气相沉积法制备钽酸钽铌酸钾薄膜的结构,介电和光学性质
机译:快速热退火对原子层沉积生长Zr掺杂ZnO薄膜的结构电学和光学性质的影响
机译:沉积退火对ZnO / Ag / ZnO薄膜的结构,电气和光学性能的影响