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机译:VO_2薄膜中相变的拉曼研究
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 Yutian Road, Shanghai 200083, China;
A1. phase transition; A1. raman spectra; A3. vanadium dioxide thin films;
机译:温度依赖性拉曼光谱和紫外光电子能谱研究具有M1和M2相的VO_2薄膜的相变行为
机译:基于温度的拉曼散射和椭偏法分析热致变色VO_2薄膜的相变
机译:M1-相VO_2和M_2-相VO_2:Cr薄膜包覆的微悬臂梁的相变行为
机译:VO_2薄膜的相分析及VO_2电触发金属-绝缘体转变的机理
机译:锰磁性薄膜中相变和磁性纳米接触中的弹道磁阻的纳米磁性研究。
机译:GeTe薄膜中非晶-晶体相变机理的原子尺度研究
机译:反铁电PbZrO3薄膜的微观拉曼和介电相变研究
机译:薄膜电介质中相变的高温拉曼研究